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Ciencia celebra Día Mundial de la Electricidad Estática

Washington, 9 ene (Prensa Latina) Los científicos celebran hoy el Día Mundial de la Electricidad Estática, para dar a conocer sobre el fenómeno de acumulación o exceso de cargas eléctricas generadas en un material aislante en reposo.

El tema es motivo de observación por parte de los organismos espaciales, pues en sitios como la Luna y Marte hay ausencia de humedad siendo el ambiente propicio para la acumulación de cargas estáticas en la superficie.

No se conoce el origen exacto de la creación de esta efeméride, que es asociada con las bajas temperaturas típicas del invierno, considerada la mejor época para conmemorar dicho fenómeno.

El fenómeno es conocido como estática y es muy común en la vida cotidiana.

La estática ocurre cuando dos objetos entran en contacto y al separarse sus superficies adquieren una carga eléctrica conocida como carga triboeléctrica, carga estática o de contacto.

Asimismo, la electricidad estática se genera cuando las cargas positiva y negativa de un átomo se desequilibran.

Un antecedente del estudio de la triboelectricidad se basó en los experimentos del filósofo griego Tales de Mileto, quien descubrió la electricidad estática al frotar un trozo de ámbar contra lana.

La etimología de este término corresponde a las palabras en griego tribein (frotar) y elektron (ámbar).

La acumulación de potencial electrostático genera una descarga eléctrica de diversas dimensiones, siendo la más común y la más leve de ellas una ligera sacudida al tocar una superficie.

Mientras, una simple chispa electrostática puede desencadenar un incendio.

Entre algunos datos curiosos e interesantes acerca de este tema se sabe que al caminar sobre una alfombra una persona puede cargarse con unos cinco mil voltios de electricidad y generar una descarga de pulsación de 30 amperes.

Al estar en contacto con la electricidad estática los cabellos se ponen de punta y esto es generado por el desequilibrio entre las cargas positivas y negativas de los objetos.

mem/abm

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